參數(shù)資料
型號： 2SC4957-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管4個引腳微型模具
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC4957-T1
2
2SC4957
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITION
Collector Cutoff Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
75
150
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA
*
1
Gain Bandwidth Product
f
T
12
GHz
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA
Feed-back Capacitance
C
re
0.3
0.5
pF
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
*
2
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
9
11
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA, f = 2.0 GHz
Noise Figure
NF
1.5
2.5
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 3 mA, f = 2.0 GH
*1
*2
Pulse Measurement; PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 % Pulsed.
Measured with 3 terminals bridge, Emitter and Case should be grounded.
h
FE
Classification
Rank
T83
Marking
T83
h
FE
75 to 150
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
– Ambient Temperature – C
P
T
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
BE
– Base to Emitter Voltage – V
I
C
V
CE
= 3 V
Free Air
50
200
100
0
50
100
150
40
30
20
10
0
0.5
1.0
180 mW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4957-T2 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
2SC4958-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4958-T2 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4964 Silicon NPN Epitaxial
2SC4965 VHF / UHF RF switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4957-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:180mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SC4959-T1 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SC4960 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC4978-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7071 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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