參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4954-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管微型模具
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SC4954-T2
2
2SC4954
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITION
Collector Cutoff Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
75
150
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA
*
1
Gain Bandwidth Product
f
T
12
GHz
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, f = 2.0 GHz
Feed-back Capacitance
C
re
0.3
0.5
pF
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
*
2
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
7
8.5
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, f = 2.0 GHz
Noise Figure
NF
2.5
4.0
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 3 mA, f = 2.0 GHz
*1
*2
Pulse Measurement; PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 % Pulsed.
Measured with 3 terminals bridge, Emitter and Case should be grounded.
h
FE
Classification
Rank
T82
Marking
T82
h
FE
75 to 150
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
– Ambient Temperature – C
P
T
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
BE
– Base to Emitter Voltage – V
I
C
50
200
100
0
50
100
150
60 mW
40
30
20
10
0
0.5
1
V
CE
= 3 V
Free Air
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PDF描述
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