參數(shù)資料
型號： 2SC4626J
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： For High-Frequency Amplification
中文描述： 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： 2SC4626J
Transistors
2SC4626J
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: December 2002
SJC00281BED
For high-frequency amplification
■
Features
Optimum for RF amplification of FM/AM radios
High transition frequency f
T
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
5
V
Collector current
30
mA
Collector power dissipation
P
C
125
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
5 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
2 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
10.7 MHz
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
*
h
FE
f
T
70
220
Transition frequency
150
250
MHz
Noise figure
NF
2.8
4.0
dB
Reverse transfer impedance
Z
rb
C
re
22
50
pF
Common-emitter reverse transfer
capacitance
0.9
1.5
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Rank
B
C
No-rank
h
FE
70 to 140
110 to 220
70 to 220
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
Unit: mm
Marking Symbol: V
0.27
±
0.02
3
1
2
0.12
+0.03
0
±
0
(
0
1
±
0
0
0
0
+
–
(
5
5
1.60
+0.05
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
+
–
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-89
SSMini3-F1 Package
Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4626 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SC4627J For High-Frequency Amplification
2SC4627 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SC4630LS 900V/100mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications
2SC4637LS 1800V/15mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4626JCL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC4627 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4627J0L 功能描述:TRANS NPN HF 20VCEO 15MA SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC4630 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-220F1 1500V .1A 2W
2SC4632 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*