型號(hào): | 2SC3647 |
廠商: | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
英文描述: | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管) |
中文描述: | 瑞展硅晶體管的高壓開關(guān)應(yīng)用(用于高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的npn型硅外延平面型晶體管) |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大小: | 141K |
代理商: | 2SC3647 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SA1418 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching,Predriver Applications(用于高電壓轉(zhuǎn)換,預(yù)置驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管) |
2SC3648 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching,Predriver Applications(用于高電壓轉(zhuǎn)換,預(yù)置驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管) |
2SA1419 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管) |
2SC3649 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管) |
2SA1433 | High-Definition CRT Display Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SC3647S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3647T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3648S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3648T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3649S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |