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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC2898 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SC2898 |
2SC2898
4
20
200
500
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Reverse Bias Area of Safe Operation
16
4
100
300
400
0
8
12
I
B2
= –0.8 A
450 V,
1.5 A
300 V, 16 A
400 V,
C
C
600
Base to emitter resistance R
BE
(
)
Collector to Emitter Voltage vs.
Base to Emitter Resistance
400
300
1 k
10 k
100 k
1 M
100
500
I
C
= 1 mA
C
(
5
2
5
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Typical Output Characteristics
4
1
1
3
4
0
2
3
I
B
= 0
T
C
= 25
°
C
0.05 A
0.1
0.2
03
04
05
06
C
C
5
0.8
2.0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Typical Transfer Characteristics
4
1
0.4
1.2
1.6
0
2
3
T
C
= 25
°
C
V
CE
= 5 V
C
C
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PDF描述 |
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