- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369102 > 2SC2713BL TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC2713BL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | 2SC2713BL |
1
Transistor
2SC2778
Silicon NPN epitaxial planer type
For high-frequency amplification
I
Features
G
Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF of FM/
AM radios.
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
JEDEC:TO–236
EIAJ:SC–59
Mini Type Package
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
–
1
+
–
0
0.4
±
0.2
0
0
+
–
1
0.1 to 0.3
2
+
–
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
30
20
5
30
200
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Transition frequency
Common emitter reverse transfer capacitance
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
f
T
C
re
Conditions
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA
V
CB
= 10V, I
E
= –1mA, f = 200MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA, f = 10.7MHz
min
30
20
5
70
150
typ
230
1.3
max
250
Unit
V
V
V
MHz
pF
Marking symbol :
K
*
h
FE
Rank classification
Rank
B
C
h
FE
70 ~ 160
110 ~ 250
Marking Symbol
KB
KC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2713GR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 2SC2714O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-59 |
| 2SC2714R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-59 |
| 2SC2714Y | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-59 |
| 2SC2715O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-59 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2713-BL(T5LSUMF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC2713-BL(TE85L) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC2713-BL(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN |
| 2SC2713-BL(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor |
| 2SC2713-BL,LF | 功能描述:TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236 標準包裝:1 |
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