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參數資料
| 型號： | 2SC2706 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 140伏特五（巴西）總裁| 10A條一（c）|至218VAR |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | 2SC2706 |
2
Transistor
2SC2778
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— I
B
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
Z
rb
— I
E
C
re
— V
CE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
18
6
12
0
12
10
8
6
4
2
Ta=25C
I
B
=100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
180
60
120
0
12
10
8
6
4
2
V
=10V
Ta=25C
Base current I
B
(
μ
A)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
60
50
40
30
20
10
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
300
250
200
150
100
50
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0
–1
–10
–100
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–3
–30
600
500
400
300
200
100
Ta=25C
V
CB
=10V
6V
T
T
0
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–1
–3
–10
80
60
20
50
70
40
10
30
f=2MHz
Ta=25C
V
CB
=6V
10V
R
r
)
0.1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
1
10
100
0.3
3
30
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I
=1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
C
r
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