參數(shù)資料
型號： 2SC2585
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述： X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 20K
代理商： 2SC2585
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
I
CBO
V
CB
= 8.0 V
I
EBO
V
EB
= 1.0 V
h
FE
V
CE
= 8.0 V I
C
= 7.0 mA
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
μ
A
μ
A
---
100
100
50
115
250
f
t
V
CE
= 8.0 V I
C
= 20 mA
V
CB
= 10 V
f = 1.0 GHz
8.5
GHz
C
cb
f = 1.0 MHz
0.2
0.6
pF
|
S21E
|
2
V
CE
= 8.0 V
I
C
= 20 mA f = 1.0 GHz
f = 2.0 GHz
f = 4.0 GHz
10.0
18.0
11.0
6.5
dB
G
NF
V
CE
= 8.0 V I
C
= 7.0 mA
V
CE
= 8.0 V I
C
= 10 mA
f = 2.0 GHz
11.0
dB
M
AG
f = 2.0 GHz
f = 4.0 GHz
15.0
10.0
dB
NF
V
CE
= 8.0 V I
C
= 7.0 mA f = 2.0 GHz
2.0
2.5
dB
NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC2585
DESCRIPTION:
The
2SC2585
is a Common Emitter
Device Designed for Low Niose
Amplifier and Medium Power Oscillator
Applications up to 8.5 GHz.
MAXIMUM RATINGS
I
C
65 mA
V
CEO
12 V
V
CBO
25 V
V
EB
1.5 V
P
T
400 mW @ T
C
= 166
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +200
O
C
85
O
C/W
T
J
T
STG
θ
JC
PACKAGE STYLE
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
1 = BASE 3 = COLLECTOR
2 & 4 = EMITTER
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PDF描述
2SC2590 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC2591 AF Driver,High Power Amplifier Amplifier Complementary Pair with 2SA1111,2SA1112
2SC2592 AF Driver,High Power Amplifier Amplifier Complementary Pair with 2SA1111,2SA1112
2SC2594 SI NPN EPITAXIAL PLANAR
2SC2603 NPN SILICON TRANSISTOR
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2SC2590P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-126
2SC2590Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-126
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