參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2412KSP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 610K
代理商： 2SC2412KSP
2SC2412K
NPN Silicon
Epitaxial Transistors
Features
Power Dissipation: 0.2W (TA=25 )
Collector Current: 0.15A
Collector-base Voltage: 60V
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
50
V
VCBO
Collector-Base Voltage
60
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7.0
V
IC
Collector Current
0.15
A
PC
Collector power dissipation
0.2
W
TJ
Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
VCEO
Collector-Emitter Voltage
(IC=1.0mAdc, IB=0)
50
---
Vdc
VCBO
Collector-Base Voltage
(IC=50uAdc, IE=0)
60
---
Vdc
VEBO
Emitter-Base Voltage
(IE=50uAdc, IC=0)
7.0
---
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=60Vdc,IE=0)
---
0.1
uAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=7.0Vdc, IC=0)
---
0.1
uAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
(IC=1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)
120
---
560
---
VCE(sat)
Collector Saturation Voltage
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)
---
0.4
Vdc
fT
Transition Frequency
(VCE=12Vdc, IC=2.0mAdc,
f=100MHz)
150
---
MHz
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Q
R
S
Range
120-270
180-390
270-560
Marking
BQ
BR
BS
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 2
2006/05/14
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.113
.117
2.87
2.97
B
.108
.112
2.75
2.85
C
.061
.065
1.55
1.65
D
.036
.038
.925
.975
E
.073
.077
1.85
1.95
G
.0016
.0039
.04
.100
H
.044
.049
1.12
1.25
J
.006
.007
.14
.17
K
.013
.015
.34
.37
A
B
C
D
E
G
H
J
K
Suggested Solder
Pad Layout
.087
2.200
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
DIMENSIONS
SOT-23-3L
TM
Micro Commercial Components
E
B
C
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
www.mccsemi.com
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PDF描述
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