參數(shù)資料
型號： 2SC1927
廠商： NEC Corp.
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL DUAL TRANSISTOR FOR DIFFERENTIAL AMPLIFIER AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE
中文描述： NPN硅外延雙晶體管差分放大器和超高速開關(guān)工業(yè)用
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 36K
代理商： 2SC1927
2SC1927
2
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
BASE AND COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT
I
C
= 10·I
B
2
1
0.2
0.1
0.02
0.05
0.5
0.1 0.2
1
0.5
2
5
10 20
50
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
- Collector Current - mA
V
B
V
C
h
F
200
100
50
70
5
7
10
20
30
0.2
0.5
1
50
30
10 20
7
2
5
0.1
0.7
3
V
CE
= 10 V
I
C
- Collector Current - mA
0
0.5 1
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
2 3
30
20
10
7
5
OUTPUT CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
3
2
1
0.3
0.5
0.7
C
o
I
E
= 0
f = 1.0 MHz
0.6
0.7
0.8
0.9
50
20
10
5
2
1
0.5
V
CE
= 10 V
V
BE
- Base to Emitter Voltage - V
I
C
DC CURRENT GAIN vs. COLLECTOR
CURRENT
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
0.2
0.5
1
50
30
10
7
20
2
5
0.1
0.7
3
I
C
- Collector Current - mA
f
T
3000
2000
700
500
300
1000
50
70
100
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
200
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 5.0 V
0.3
0.3
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PDF描述
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