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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC1162 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | 2SC1162 |
2SC1162
3
16
12
8
4
0
50
100
150
200
Case temperature T
C
(
°
C)
C
C
Maximum Collector Dissipation Curve
2.0
2
5
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Typical Output Characteristics
1.6
0.4
1
3
4
0
0.8
1.2
I
B
= 0
T
C
= 25
°
C
2 mA
4
6
8
10
12
15
17
20
24
C
C
T
C
= 75
°
C
V
CE
= 2 V
25
–25
2.0
0.4
1.4
1.2
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
Typical Transfer Characteristics
0.02
0.05
0.1
0.2
0
0.6
0.8
1.0
0.01
0.2
0.5
1.0
280
3.0
Collector current I
C
(A)
D
F
200
240
80
0.03
0.1
1.0
0
0.01
120
160
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
T
C
= 75
°
C
V
CE
= 2 V
40
0.3
25
–25
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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