參數(shù)資料
型號: 2SB8156
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-23
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 15V的五(巴西)總裁| 700mA的一(c)| SOT - 23封裝
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代理商: 2SB8156
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SB815-6-TB-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB8157 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-23
2SB815-7 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
2SB815-7-TB-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB816 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors