參數(shù)資料
型號： 2SB1732
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Genera purpose amplification(−12V, −1.5A)
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 102K
代理商： 2SB1732
2SB1732
Transistors
z
Electrical characteristic curves
Rev.A
2/2
Fig.1 DC current gain vs.
collector current
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
1
10
PULSED
V
CE
=
2V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
D
F
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs.collector current
Fig.3 Base-emitter saturation voltage
vs.collector current
Fig.4 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
I
C
/I
B
=
50
20
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
C
C
(
V
PULSED
Ta
=
25
°
C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
C
C
(
V
PULSED
I
C
/I
B
=
20
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
Ta
=
40
°
C
25
°
C
100
°
C
Fig.5 Grounded emitter propagation
characteristics
0
0.5
1
0.001
0.1
1
0.01
10
1.5
PULSED
V
CE
=
2V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V
)
C
C
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
Fig.6 Gain bandwidth product
vs. emitter current
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
1
10
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
0.1
1
1
10
100
10
100
Ta
=
25
°
C
I
E
=
0mA
f
=
1MHz
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V
)
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
EMITTER CURRENT : I
E
(
A)
T
T
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SB1733TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SB187 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -25V -.15A .2W
2SB206 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GE PNP POWER BJT
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