參數(shù)資料
型號: 2SB1710
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: MS (MIL-C-5015) SERIES 97 3106B SPLIT SHELL STRAIGHT PLUGS, STRAIGHT BODY STYLE, SOLDER TERMINATION, 20 SHELL SIZE, 20-15 INSERT ARRANGEMENT, PLUG GENDER, 7 CONTACTS
文件頁數(shù): 2/3頁
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代理商: 2SB1710
2SB1710
Transistors
z
Electrical characteristic curves
1000
Ta
=
100
°
C
Pulsed
B
B
(
2/2
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
10
D
F
100
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
0.1
0.01
0.001
10
1
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
(
Ta
=
25
°
C
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
100
°
C
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
/I
B
=
20/1
Pulsed
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.001
0.01
C
C
(
0.1
1
10
Ta
=
25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
10/1
I
C
/I
B
=
20/1
I
C
/I
B
=
50/1
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0
0.5
1
1.5
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
0.001
C
C
(
0.01
1
0.1
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
0.01
0.1
1
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
10
T
T
(
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
I
C
/I
B
=
20/1
tstg
tdon
tr
tf
Fig.6 Switching time
S
1
10
100
1
10
100
f
=
1MHz
I
C
=
0A
Ta
=
25
°
C
C
E
Cib
Cob
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(
V)
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參數(shù)描述
2SB1710TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1722J0L 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1730TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1731TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1732TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V 1.5A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2