參數(shù)資料
型號： 2SB1705
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier
中文描述： 低頻放大器
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SB1705
2SB1705
Transistors
z
Packaging specifications
Rev.B
2/2
2SB1705
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
z
Electrical characteristic curves
Fig1. DC current gain
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
1
10
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
C
(
V
0.001
0.01
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
/I
B
=20/1
Pulsed
1
25
C
125
C
40
C
10
10
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
/I
B
=20/1
Pulsed
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
Fig.3 Base
emitter saturation voltage
vs.collector current
B
B
(
V
25
C
125
C
40
C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
D
F
V
CE
2V
Pulsed
25
C
125
C
40
C
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V
)
Fig.4 Grounded emitter propagation
charactereistics
10
C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
I
C
/I
B
=20/1
Pulsed
25
C
125
C
40
C
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
T
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
Fig 6. Collector output capacitance vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance vs. emitter-base volatage
1000
100
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Cob
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
I
C
=
0A
f=1MHz
Ta=25
°
C
Cib
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PDF描述
2SB1706 LOW FREQUENCY AMPLIFIER
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參數(shù)描述
2SB1705TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1706TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1707TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1708TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1709TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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