參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1694
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose amplification (−30V, −1A)
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SB1694
2SB1694
Transistors
!
Electrical characteristic curves
1000
Ta
=
100
°
C
Pulsed
B
B
(
2/2
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
10
D
F
100
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
2V
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
0.1
0.01
0.001
10
1
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
(
Ta
=
25
°
C
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
100
°
C
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
/I
B
=
20/1
Pulsed
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.001
0.01
C
C
(
0.1
1
10
Ta
=
25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
10/1
I
C
/I
B
=
20/1
I
C
/I
B
=
50/1
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0
0.5
1
1.5
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
0.001
C
C
(
0.01
1
0.1
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
0.01
0.1
1
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
10
T
T
(
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
I
C
/I
B
=
20/1
tstg
tdon
tr
tf
Fig.6 Switching time
S
1
10
100
1
10
100
f
=
1MHz
I
C
=
0A
Ta
=
25
°
C
C
E
Cib
Cob
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(
V)
0.1
1
10
100
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
0.001
0.01
C
C
0.1
1
10
Ta
=
25
°
C
Single Pulse
10ms
1ms
DCOpeaion
P
W
=
100ms
Fig.8 Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1695K MS (MIL-C-5015) SERIES 97 3106B SPLIT SHELL STRAIGHT PLUGS, STRAIGHT BODY STYLE, SOLDER TERMINATION, 20 SHELL SIZE, 20-11 INSERT ARRANGEMENT, PLUG GENDER, 13 CONTACTS
2SB1695 Low frequency amplifier
2SB1697 Low Frequency Amplifier (-12V, -2A)
2SB1698 Low frequency amplifier
2SB1705 Low frequency amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1694T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1697T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1698T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR PNP; 30V; 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*