參數(shù)資料
型號: 2SB1679
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
中文描述: 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/2頁
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代理商: 2SB1679
PAGE . 2
STAD-MAR.18.2009
SK12E~SK16E
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
Fig.1-FORWARD CURRENT DERATING CURVE
PEAK
FOR
W
ARD
SURGE
CURRENT
,
AMPERES
NO. OF CYCLE AT 60Hz
A
VERAGE
FOR
W
ARD
RECTIFIED
CURRENT
AMPERES
LEAD TEMPERATURE, C
o
110
100
0
5
10
15
20
25
30
Fig.2- MAXIMUM NON-REPETITIVEPEAKFORWARD
SURGE CURRENT
1.0
.50
0
SINGLEPHASEHALFWAVE60Hz
RESISTIVEORINDUCTIVELOAD
P.C.B MOUNTED
ON 0.2 X
X
0.2"( 5.0 5. 0mm)
COPPERPADAREAS
.25
.75
0
75
100
125
150
175
25
50
=20-30V
=40-60V
Fig.4-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTIC
Fig.3-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
FORWARD VOLTAGE , VOLTS
FOR
W
ARD
CURRENT
,AMPERES
0
0.01
0.1
1.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
20-40V
50-60V
T= 25 C
A
O
20
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
40
60
80
100
T=25 C
J
O
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE ,%
m
T=75 C
J
O
T =125 C
J
O
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,
m
A
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參數(shù)描述
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2SB1690KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2