參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1494
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused
中文描述： 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SB1494
2SB1494
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
1
Tj
–120
V
Collector to emitter voltage
–120
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–25
A
Collector peak current
–35
A
Collector power dissipation
120
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C to E diode forward current
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
I
D
*
1
25
A
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–120
—
—
V
I
C
= –0.1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–120
—
—
V
I
C
= –25 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(sus)
–120
—
—
V
I
C
= –200 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–7
—
—
V
I
E
= –50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
—
—
–10
μ
A
V
CB
= –100 V, I
E
= 0
V
CE
= –100 V, R
BE
=
∞
V
CE
= –4 V, I
C
= –12 A*
1
V
CE
= –4 V, I
C
= –25 A*
1
I
C
= –12 A, I
B
= –24 mA*
1
I
C
= –25 A, I
B
= –250 mA*
1
I
C
= –12 A, I
B
= –24 mA
I
C
= –25 A, I
B
= –250 mA*
1
—
—
–10
DC current transfer ratio
2000
—
20000
500
—
—
Collector to emitter saturation
—
—
–2.0
V
voltage
—
—
–3.5
Base to emitter saturation
—
—
–3.0
V
voltage
Note:
—
—
–4.5
1. Pulse test.
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PDF描述
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