參數(shù)資料
型號： 2SB1432
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
中文描述： 進步黨硅外延晶體管（達林頓接線）低頻功率放大器和低速開關
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： 2SB1432
Data Sheet D14859EJ2V0DS
4
2SB1432
Collector Current I
C
(A)
Collector Current I
C
(A)
B
B
C
C
Pulse test
Pulse test
D
F
相關PDF資料
PDF描述
2SB1449 50V/5A Switching Applications
2SD2198 50V/5A Switching Applications
2SB1450 50V/7A Switching Applications
2SD2199 50V/7A Switching Applications
2SB1452 80V/7A Switching Applications
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1432-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,100V,10A,isoTO-220 制造商:Renesas 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated
2SB1432-AZ(L) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:PNP
2SB1432-AZ-K 制造商:Renesas Electronics 功能描述:PNP 制造商:Renesas Electronics 功能描述:PNP Bulk
2SB143400A 功能描述:TRANS PNP LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB14350RA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 2A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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