參數(shù)資料
型號: 2SB1407L
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Epitaxial
中文描述: 硅外延進步黨
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 31K
代理商: 2SB1407L
2SB1407(L)/(S)
3
0
Case Temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
50
100
150
10
30
20
–0.1
–0.3
–1.0
–10
–3
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
–1
–3
–10
–30
–100
Area of Safe Operation
I
C
(max)
i
C
(peak)
PW =
10 ms
Ta = 25
°
C
1 Shot Pulse
D prtn
(
C
=2
°
C
1m
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–1
–2
–3
–4
–5
I
B
= 0
Ta
= 25
°
C
–2 mA
–4
–10
–12
–14
–16
–6
–8
10
–0.03
30
100
300
1,000
Collector current I
C
(A)
D
F
–0.1
–0.3
–1.0
–3.0
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
V
CE
= –2 V
Ta
= 25
°
C
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PDF描述
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2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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