參數(shù)資料
型號： 2SB1399
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused
中文描述： 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2SB1399
2SB1399
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C (peak)
P
C
P
C
*
1
Tj
–120
V
Collector to emitter voltage
–120
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–10
A
Collector peak current
–15
A
Collector power dissipation
2
W
30
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C to E diode forward current
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
I
D
*
1
10
A
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–120
—
—
V
I
C
= –0.1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–120
—
—
V
I
C
= –25 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–7
—
—
V
I
E
= –50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE
V
CE (sat)1
V
CE (sat)2
V
BE (sat)1
V
BE (sat)2
V
D
—
—
–10
μ
A
V
CB
= –100 V, I
E
= 0
V
CE
= –100 V, R
BE
=
∞
V
CE
= –3 V, I
C
= –5 A*
1
I
C
= –5 A, I
B
= 10 mA*
1
I
C
= –10 A, I
B
= –100 mA*
1
I
C
= –5 A, I
B
= 10 mA*
1
I
C
= –10 A, I
B
= –100 mA*
1
I
D
= 10 A*
1
—
—
–10
DC current transfer ratio
1000
—
20000
Collector to emitter saturation
—
—
–1.5
V
voltage
—
—
–3.0
Base to emitter saturation
—
—
–2.0
V
voltage
—
—
–3.5
C to E diode forward voltage
Note:
1. Pulse Test.
See switching characteristic curve of 2SB955(K).
—
—
3.0
V
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PDF描述
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2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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