型號: | 2SB1386-R-AB3-C-R |
廠商: | 友順科技股份有限公司 |
英文描述: | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
中文描述: | 低頻PNP晶體管 |
文件頁數: | 5/5頁 |
文件大小: | 208K |
代理商: | 2SB1386-R-AB3-C-R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1386-R-AB3-E-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
2SB1386-X-AB3-F-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
2SB1387 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD1978 |
2SB1389 | Silicon PNP Triple Diffused |
2SB1390 | Silicon PNP Triple Diffused |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SB1386T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1386T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1389 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SB1390(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SB1391(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |