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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1386-Q-AB3-C-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 中文描述： | 低頻PNP晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 208K |
| 代理商： | 2SB1386-Q-AB3-C-R |
2SB1386
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 5
QW-R208-019,B
T Y PICAL CHARACTERIST ICS
0
-0.2
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
-2
-1
-1m
Collector Current vs. Base to Emitter
Voltage
-1m-2m-5m
-0.01-0.02
200
100
20
10
Collector Current, Ic(A)
DC Current Gain vs. Collector Current(1)
5k
Ta=25
℃
-0.4 -0.6 -0.8
-1.4
-1.2
-1.0
-2m
-5m
0
-5
0
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
Collector Current vs. Collector to Emitter
Voltage
-1
-0.4
-0.8
-1.6
-2.0
-1.2
-2
-3
-4
I
B
=0mA
Ta=25
℃
-10mA
-5mA
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (1)
-10m
-30mA
-45mA
-50mA
-15mA
-20mA
-25mA
5
-2
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-20m
-50m
-100m
-200m
-500m
-5
-10
V
CE
= -2V
Ta=25
℃
Ta=100
℃
Ta= -25
℃
-40mA
-35mA
-5 -10
50
1k
2k
Vc
E
= -5V
Vc
E
= -2V
Vc
E
= -1V
-1m-2m-5m
-0.01-0.02
200
100
20
10
Collector Current, I
C
(A)
DC Current Gain vs. Collector Current(2)
5k
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
5
-2 -5 -10
50
1k
2k
Vc
E
= -1V
Ta=100
℃
-1m-2m-5m
-0.01-0.02
200
100
20
10
Collector Current, Ic(A)
DC Current Gain vs. Collector Current
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
5k
5
-2 -5 -10
50
1k
2k
Vc
E
= -2V
Ta=25
℃
Ta=25
℃
Ta= -25
℃
Ta=100
℃
Ta= -25
℃
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=25
℃
Ic/I
B
=50/1
40/1
30/1
10/1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1386-Q-AB3-E-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 2SB1386-R-AB3-B-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 2SB1386-R-AB3-C-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 2SB1386-R-AB3-E-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 2SB1386-X-AB3-F-R | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1386T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1386T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1389 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1390(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1391(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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