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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1334 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 平面進(jìn)步黨外延硅晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | 2SB1334 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1334A | TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
| 2SB1340 | Power Transistor (120V, -6A) |
| 2SD1889 | Power Transistor (120V, -6A) |
| 2SB1342 | Power Transistor (-80V, -4A) |
| 2SD1933 | Power Transistor (-80V, -4A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1341 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB -480V -4A 40W BCE |
| 2SB1344 | 功能描述:TRANS DARL PNP 100V 8A TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1346 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -60V -3A 30W BCE |
| 2SB1347 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TOP-3L -160V -12A 120W BCE |
| 2SB1348 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-160V -.1A .4W ECB |
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