參數(shù)資料
型號： 2SB1323
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SB1323
2SB1323 / 2SD1997
No.3129-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--0.18)0.12
(--0.4)0.3
V
Base-to-Emitter ON State Voltage
VBE(ON)
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
(--)1
(--)2
(--)5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)40
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO1IC=(--)10A, RBE=∞
(--)40
V
V(BR)CEO2IC=(--)10mA, RBE=∞
(--)30
V
Diode Forwad Voltage
VF
IF=(--)0.5A
(--)1.5
V
Base-to-Emitter Resistance
RBE
0.8
k
Base Resistance
R1
120
160
200
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm (typ)
7007A-004
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
0.75
Top View
Bottom View
RBE
Base
Collector
Emitter
PNP
R1
RBE
Base
Collector
Emitter
NPN
R1
IC -- VBE(ON)
Base-to-Emitter ON-State Voltage, VBE(ON) -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector
Current,
I
C
-
A
VCE= --2V
2SB1323
VCE=2V
2SD1997
ITR09577
0
--1
--3
--2
--4
--5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
--2.2
Ta
=75
°C
25
°C
--
25
°C
ITR09578
0
0.5
1.5
1.0
2.0
2.5
3.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
T
a=75
°C
25
°C
--2
5°
C
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