參數(shù)資料
型號： 2SB1277R
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
中文描述： 中功率晶體管（- 32V的，- 2A型）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： 2SB1277R
(96-131-B24)
External dimensions (Unit: mm)
215
Transistors
Medium power Transistor(
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
32V,
2A)
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/ I
B
=
2) Complements the 2SD1766 /
2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /
2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.
0.5V (Typ.)
2A /
0.2A)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
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PDF描述
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2SB1279 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -15V -.2A .3W ECB
2SB1282-4100 功能描述:達林頓晶體管 V=-100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1283 制造商:Shindengen 功能描述:
2SB1284-4000 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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