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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1238TV2R |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ATV, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SB1238TV2R |
2SB1189 / 2SB1238
Transistors
Rev.A
2/2
Electrical characteristics curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.1 Ground emitter output characteristics
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
8
6
4
2
0
Ta
=25°C
IB
= 0mA
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
7mA
8mA
10mA
9mA
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
Fig.2 Ground emitter propagation characteristics
50
10
5
2
1
0.5
0.1
0.2
20
1.4 1.6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Ta
=25
°C
VCE
= 6V
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.3 DC current gain vs. collector current
50
100
200
500
200
100
20
10
1
2
5
50
500
Ta
=25
°C
VCE
= 5V
1V
3V
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
Fig.5 Gain bandwidth product vs. emitter current
500
200
20
50
100
10
5
220
50
Ta
=25
°C
VCE
=
5V
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
C
ib
(pF)
Fig.7 Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
20
10
20
50
100
2
1
0.5
5
IC
=0A
Cib
f
=1MHz
Ta
=25
°C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(pF)
Fig.6 Collector output capacitance
20
10
20
50
100
2
1
0.5
5
vs. collector-base voltage
IE
=0A
Cob
f
=1MHz
Ta
=25
°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs.collector current
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
200
100
20
10
1
5
50
500
IC/IB
=20/1
IC/IB
=10/1
Ta
=25
°C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.8 Safe operating area (2SB1189)
1.0
0.2
0.1
0.02
0.01
0.002
0.005
0.001
0.05
0.5
100
20
10
2
1
0.1 0.2
0.5
5
50
Ta
=25
°C
Single pulse
Pw
=
10ms
Pw
=
10ms
DC
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SB1240 | 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP |
| 2SB1240PRTV6 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1240TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1240TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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