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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1202L-S-TM3-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 中文描述： | 大電流開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | 2SB1202L-S-TM3-R |
2SB1202
PNP PLANAR TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 5
QW-R217-005.B
ABS OLUT E MAX IMUM RAT INGS
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
RATINGS
-60
-50
-6
1
15
-3
-6
150
-55 ~ +150
UNIT
V
V
V
W
W
A
A
°
C
°
C
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Ta=25
°
C
Tc=25
°
C
DC
PULSE
Collector Power Dissipation
P
C
I
C
I
CP
T
J
T
STG
Collector Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
h
FE1
h
FE2
f
T
Cob
t
ON
t
STG
t
F
TEST CONDITIONS
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
I
C
=-1mA, R
BE
=
∞
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=-40V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
I
C
=-2A, I
B
=-100mA
I
C
=-2A, I
B
=-100mA
V
CE
=-2V, Ic=-100mA
V
CE
=-2V, Ic=-3A
V
CE
=-10V, I
C
=-50mA
V
CB
=-10V, f=1MHz
See test circuit
See test circuit
See test circuit
MIN
-60
-50
-6
100
35
TYP
-0.35
-0.94
150
39
70
450
35
MAX
-1
-1
-0.7
-1.2
560
UNIT
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
C-B Breakdown Voltage
C-E Breakdown Voltage
E-B Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
C-E Saturation Voltage
B-E Saturation Voltage
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Turn-on Time
Storage Time
Fall Time
MHz
pF
ns
ns
ns
CLAS S IFICAT ION OF h
FE1
RANK
RANGE
R
S
T
U
100-200
140-280
200-400
280-560
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1202L-S-TM3-T | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 2SB1202L-S-TN3-K | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SB1202L-S-TN3-T | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 2SB1202L-T-T6C-K | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1202-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1202S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202T | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1202T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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