參數(shù)資料
型號： 2SB1181R
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至252AA
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 401K
代理商： 2SB1181R
相關PDF資料
PDF描述
2SB1183F5 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1184F5 TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR
2SB1184F5P 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1184F5Q TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SB1184F5R 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1181TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1181TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1181TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1182 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS
2SB1182D 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Silicon General Purpose Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*