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參數資料
| 型號： | 2SB1121T |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商： | 2SB1121T |
2SB1121 / 2SD1621
No.1787-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)20V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
100*
560*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A
65
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(32)19
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
(--0.35)0.18
(--0.6)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)30
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)25
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(60)60
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(350)550
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(25)25
ns
*: The 2SB1121 / 2SD1621 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
12V
--5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
24Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)
IB1
D.C.≤1%
IB2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1621-S | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1121R | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1121U | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1621-R | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1121-T | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1121T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1121U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1122 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency Power Amp Applications |
| 2SB1122_11 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Applications |
| 2SB1122-D | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency Power Amplifier Applications |
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