參數(shù)資料
型號： 2SB1121-R
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： 2SB1121-R
2SB1121 / 2SD1621
No.1787-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)20V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
100*
560*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A
65
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(32)19
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
(--0.35)0.18
(--0.6)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)30
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)25
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(60)60
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(350)550
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(25)25
ns
*: The 2SB1121 / 2SD1621 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
12V
--5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
24Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)
IB1
D.C.≤1%
IB2
相關PDF資料
PDF描述
2SD1621S 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1121R 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1627 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1627 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1680 7 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1121S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89
2SB1121S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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