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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1025 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SB1025 |
2SB1025
3
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
(
Maximum Collector Dissipation Curve
1.2
0.8
0.4
Typical Output Characteristics
–120
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1.0
–0.8
–0.6
–0.2
–0.4
I
B
= 0
–0.5 mA
–1
–2
–5
–10
–20
–30
–40
–60
–100
Typical Output Characteristics
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
–200
–500
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
–0.2
–0.4
0
–0.6
–0.8
–1.0
C
C
V
= –5 V
Pulse
T
°
C
2
–
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000
0
100
200
300
400
500
600
D
F
Ta = 75
°
C
25
–25
V
= –5 V
Pulse
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1026 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1027 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1028 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1072K | Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴散PNP晶體管) |
| 2SB1078 | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1025DH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
| 2SB1025DJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
| 2SB1025DJTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1025DK | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
| 2SB1026 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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