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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA965 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SA965 |
2SA965
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA965
Power Amplifier Applications
Driver-Stage Amplifier Applications
Complementary to 2SC2235.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
120
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
800
mA
Emitter current
IE
800
mA
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 120 V, IE = 0
―
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
120
―
V
Emitter-base breakdown voltage
V (BR) EBO
IE = 1 mA, IC = 0
5
―
V
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 5 V, IC = 100 mA
80
―
240
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
―
1.0
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 500 mA
―
1.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 100 mA
―
120
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
40
pF
Note: hFE classification O: 80 to 160, Y: 120 to 240
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
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