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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA733L-X-AL3-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 低頻功放進(jìn)步黨外延硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SA733L-X-AL3-R |
2SA733
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 4
QW-R206-068,B
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
C
C
(
Fig.1 Static Characteristics
Collector-Emitter Voltage ( V)
0
-4
-8
-12
-16
-20
0
-20
-40
-60
-80
-100
Fig.2 DC Current Gain
Collector Current, I
C
(mA)
D
F
10
3
-10
-1
I
B
=-300μA
I
B
=-250μA
I
B
=-200μA
I
B
=-150μA
I
B
=-100μA
I
B
=-50μA
10
2
10
1
10
0
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
V
CE
=-6V
Fig.3 Base-Emitter on Voltage
C
C
(
Base-Emitter Voltage (V)
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
Collector Current, I
C
(mA)
S
Fig.4 Saturation Voltage
-10
4
-10
3
-10
2
-10
1
-10
2
-10
1
-10
0
-10
-1
V
CE
=-6V
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
I
C
=10*I
B
V
BE(SAT)
V
CE(SAT)
Fig.5 Current Gain-Bandwidth Product
Fig.6 Collector Output Capacitance
Collector Current, I
C
(mA)
C
T
(
Collector-Base Voltage (V)
C
10
3
10
2
10
1
10
0
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
V
CE
=-6V
10
2
10
1
10
0
10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA733-P-AE3-R | LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SA733-X-AL3-R | LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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| 2SA733P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA733-P | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor |
| 2SA733-P(A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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