參數(shù)資料
型號： 2SA2154MFV-GR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2-1L1A, VESM, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： 2SA2154MFV-GR
2SA2154MFV
2007-11-01
3
PC - Ta
0
50
100
150
200
250
0
50
100
150
200
IC - VCE
-0
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
0
IB = -0.1mA
-0.2
-0.3
-0.5
-0.7
-1.0
-1.5
-2.0
hFE - IC
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
-25
25
Ta = 100°C
VCE(sat) - IC
-0.01
-0.1
-1
-0.1
-1
-10
-100
Ta = 100°C
-25
25
VBE(sat) - IC
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
-100
IB - VBE
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
B
ASE
CURRE
NT
　
IB
(
uA
)
Ta = 100°C
-25
25
0
COL
LE
C
T
O
R
C
URRE
NT
IC
(mA
)
DC
C
U
R
E
NT
G
A
IN
hFE
C
O
LL
EC
TO
R-EM
IT
TER
SATU
RATIO
N
VO
LT
AG
E
VC
E(s
at
)
(V)
BA
SE-EM
ITTER
SATUR
ATI
O
N
VO
LT
AG
E
V
BE
(sa
t)
(V
)
CO
LLE
CTO
R
PO
WE
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
P
C
(
m
V)
AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C)
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
COMMON EMITTER
　　　
VCE =
6V
　　　
VCE =
1V
COMMON EMITTER　Ta = 25°C
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
COMMON EMITTER
VCE =
6V
Ta = 100°C
25
-25
Mounted on FR4 board
　　　　　
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2154MFV 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2174G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2179 13 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA2183 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2190 2 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2154MFV-GR(TPL3 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2154MFV-GR(TPL3) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin VESM T/R 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP VESM
2SA2154MFV-Y 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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