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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2126 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SA2126 |
2SA2126
No.7990-3/4
--0.1
--0.01
7
5
3
2
--1.0
--10
7
5
3
27
5
3
2
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IT07647
--1.0
3
5
7
2
3
--1.0
--0.1
--0.01
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IT07648
2
--0.1
--0.01
3
27
5
32
7
5
32
5
3
5
7
2
--1.0
3
5
7
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
IT07649
--1.0
--0.1
35
7
23
5
7
23
5
7
2
--10
--100
2
3
10
100
5
7
--0.1
--0.01
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IT07646
--0.1
--1.0
--0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
25°C
PC -- Ta
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
0.9
0.8
0.6
0.7
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
IT07651
A S O
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--0.1
23
5
7 --1.0
23
5
7 --10
23
5
7 --100
IT07650
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--0.01
--10
3
2
5
7
IT07644
fT -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
IT07645
100
3
1000
2
3
5
7
5
7
23
5 7
2
3
5
7
--0.1
23
5 7 --1.0
--10
--0.01
VCE= --10V
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
100
3
1000
2
3
5
7
5
7
23
5
7
2
3
5
7
23
5
7
--0.1
--0.01
--1.0
--10
No
heat
sink
Tc=25
°C
Single pulse
500
s
DC
operation
(Ta=25
°C)
DC
operation
(Tc=25
°
C)
1ms
100ms
<10s
100
s
10ms
IC= --3A
ICP= --6A
Ta= --25°
C
75°C
IC / IB=20
IC / IB=50
Ta=75
°C
--25
°C
25°
C
IC / IB=20
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
f=1MHz
25
°C
--25
°C
Ta=75
°C
VCE= --2V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2127 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA2151Y | 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2154-Y | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2154 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SA2126-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2126-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2126-S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2126-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2126-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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