參數(shù)資料
型號： 2SA1965
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for Muting Circuit Applications(用于噪聲抑制電路的PNP硅外延平面型晶體管)
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管（用于噪聲抑制電路的新進(jìn)步黨硅外延平面型晶體管電路應(yīng)用為靜音）
文件頁數(shù)： 2/3頁
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代理商： 2SA1965
2SA1965
No.5031–2/3
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1967 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于高電壓放大器，高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
2SA1968LS High-Voltage Amplifier, High-Voltage Switching Applications
2SA1968 High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications
2SA2007 High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管)
2SA2023 60V / 5A High-Speed Switching Applications
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參數(shù)描述
2SA1971(TE12L,F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini
2SA1972(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SA1972(TE6,F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1972,F(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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