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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1190 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | 2SA1190 |
2SA1190, 2SA1191
5
Collector Cutoff Current vs.
Collector to Base Voltage
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
0
–20
–40
–60
–80
–100
C
C
–1
–10
–100
–1,000
–10.000
Ta = 75
°
C
I
E
= 0
25
–25
Collector Cutoff Current vs.
Collector to Emitter Voltage
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0
–20
–40
–60
–80
–100
C
C
–0.1
–1.0
–10
–100
–1,000
Ta = 75
°
C
25
–25
R
BE
=
∞
Emitter Cutoff Current vs.
Emitter to Base Voltage
Emitter to Base Voltage V
EB
(V)
0
–2
–4
–6
–8
–10
E
E
–0.1
–1.0
–10
–100
–1,000
Ta = 75
°
C
25
–25
I
C
= 0
Collector to Emitter Breakdown Voltage vs.
Base to Emitter Resistance
–190
Base to Emitter Resistance R
BE
(
)
10
100
1 k
10 k
100 k
C
V
(
C
–140
–150
–160
–170
–180
Typical Value
I
C
= –1 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1191 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1193K | Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
| 2SA1193 | Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
| 2SA1194 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1194K | Silicon PNP Epitaxial |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1190D | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 90V 0.1A 3-Pin TO-92 |
| 2SA1190DTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1190E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1190ETZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1191 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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