參數(shù)資料
型號： 2SA1179N
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： 2SA1179N
中文描述： 2SA1179N
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： 2SA1179N
2SA1179N / 2SC2812N
2SA1179N / 2SC2812N
μ
μ
μ
∞
μ
No.
1
2
3
0.42
0.131
0
0.1
0
0
1
2
0
0
2.92
1.9
0.95 0.95
相關PDF資料
PDF描述
2SC2812N 2SA1179N
2SA1188 Silicon PNP Epitaxial
2SC3494 ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC
2SA1189 Silicon PNP Epitaxial
2SA1190 Silicon PNP Epitaxial
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1179N_06 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amp Applications
2SA1179N_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amp Applications
2SA1179N6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
2SA1179N6-CPA-TB-E 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 BIP PNP 0.15A 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
2SA1179N6-TB-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*