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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1122CCTR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SA1122CCTR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1122CEUR | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1122CCTR-E | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1122CE01 | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1122CEUL | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1122CCUR | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1122CD | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1122CDTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1122D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
| 2SA1123 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) |
| 2SA11230RA | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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