參數(shù)資料
型號(hào)： 2PB709AS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 48K
代理商： 2PB709AS
2002 Jun 26
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2PB709AW
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
For mounting conditions, see “Thermal considerations and footprint design for SOT323 in the General Part of Data
Handbook SC18”.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
625
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
10
5
10
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
45 V
I
E
= 0; V
CB
=
45 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
2 mA; V
CE
=
10 V
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
2PB709AQW
2PB709ARW
2PB709ASW
collector-emitter saturation voltage
160
210
290
260
340
460
500
V
CEsat
I
C
=
100 mA; I
B
=
10 mA;
note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V;
f = 1 MHz
I
C
=
1 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz
mV
C
c
collector capacitance
5
pF
f
T
transition frequency
2PB709AQW
2PB709ARW
2PB709ASW
60
70
80
MHz
MHz
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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