參數(shù)資料
型號： 2PB709AR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2PB709AR
2002 Jun 26
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2PB709AW
FEATURES
High collector current (max. 100 mA)
Low collector-emitter saturation voltage (max. 500 mV).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in an SC-70 (SOT323) plastic package.
NPN complement: 2PD601AW
MARKING
Note
1.
* = p: made in Hong Kong.
* = t: made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
2PB709AQW
2PB709ARW
2PB709ASW
N5*
N7*
N9*
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM048
Top view
2
1
3
2
3
1
Fig.1
Simplified outline SC-70 (SOT323)
and symbol.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
For mounting conditions, see “Thermal considerations and footprint design for SOT323 in the General Part of Data
Handbook SC18”.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
45
45
6
100
200
200
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PB709AS PNP general purpose transistor
2PB710 TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR
2PC1815BLAMO TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92
2PC1815GRAMO 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2PC1815LBL TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PB709AR T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709AR,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ARL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
2PB709ARL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45V 100MA PNP GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ARL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*