參數(shù)資料
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Min.
Typ.
Max.
625
Unit
°C/W
R
θ
JA
V
(BR)DSS
Gate – Source Breakdown Voltage
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
GSS
Gate – Body Leakage Current
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
I
D(on)*
On–State Drain Current
R
DS(on)*
Drain – Source On Resistance
V
DS(on)*
Drain – Source On Voltage
g
FS*
g
OS*
Forward Transconductance
Common Source Output Conductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
t
ON
Turn–On Time
t
OFF
Turn–Off Time
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 7/98
2N7002CSM
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
V
GS
= ±20VV
DS
= 0V
V
DS
= 60V
I
D
= 10
μ
A
I
D
= 0.25mA
V
GS
= 0V
T
CASE
= 125°C
V
DS
≥
2V
DS(ON)
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
I
D
= 50mA
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
V
DS
= 10V
V
DS
= 5V
T
CASE
= 125°C
T
CASE
= 125°C
I
D
= 50mA
T
CASE
= 125°C
I
D
= 0.2A
I
D
= 50mA
V
DS
= 25V
V
GS
= 0V
f = 1MHz
V
DD
= 30V
R
L
= 150
I
D
= 0.2A
V
GEN
= 10V
R
G
= 25
60
1
70
2.15
2.5
±100
1
500
500
1000
5
9
2.5
4.4
0.25
1.25
2.2
170
500
7.5
13.5
7.5
13.5
0.375
3.75
6.75
80
16
11
2
50
25
5
7
20
7
20
V
nA
μ
A
mA
V
ms
μ
s
pF
ns
STATIC CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
SWITCHING CHARACTERISTICS
* Pulse Test: PW = 80
μ
s ,
δ ≤
1%
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002CSM N-Channel Enhanced Mode MOS Transistor（Vdss：60V，Id：0.115A，Rds(on)：5Ω）(N溝道增強型MOS晶體管（Vdss：60V，Id：0.115A，Rds(on)：5Ω）)
2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
2N7002-01 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號:2N7002 標準包裝:1
2N7002DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002DSPT 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET
2N7002DW 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002DW _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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