型號: | 2N7002C1B |
廠商: | SEMELAB LTD |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 289K |
代理商: | 2N7002C1B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N7002C1B-JQRS.CVB | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2N7002C1B-JQRS.SS | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2N7002C1B-JQRS.GBDM | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2N7002C1A-JQRS.GBDM | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2N7002C1B-JQRS.RAD | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N7002CK | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH60V0.3ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.3A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.3A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.75V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
2N7002CK,215 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2N7002CKVL | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):300mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:10,000 |
2N7002CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
2N7002-D87Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):115mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):200mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 基本零件編號:2N7002 標準包裝:1 |