參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002C1B-JQRS.SS
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： 2N7002C1B-JQRS.SS
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE MOSFET
2N7002C1
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 8551
Issue 1
Page 3 of 4
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
2
1
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
2
.5
4
±
0
.1
3
(0
.1
0
±
0
.0
0
5
)
0
.7
6
±
0
.1
5
(0
.0
3
±
0
.0
0
6
)
1.40
(0.055)
max.
0.31
(0.012)
rad.
3
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
4
R
0.
56
(0
.0
22
)
R0.31
(0.012)
See
Package
Variant
Table
C1
Underside View
PACKAGE VARIANT TABLE
Variant
Pad 1
Pad 2
Pad 3
Pad 4
A
Gate
Source
Drain
No Pad (3-Pins Only)
B
Gate
Source
Drain
Lid Shield Contact *
* The additional contact provides a connection to the lid in the application. Connecting the metal lid to a known electrical potential stops deep
dielectric discharge in space applications; see the Space Weather link www.semelab.co.uk/mil/lcc1_4 on the Semelab web site. Package variant to
be specified at order.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002C1B-JQRS.GBDM 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002C1A-JQRS.GBDM 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002C1B-JQRS.RAD 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002DW 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002KDWT/R7 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002CK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH60V0.3ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.3A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.3A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.75V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
2N7002CK,215 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002CKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
2N7002CSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:115mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號(hào):2N7002 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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