參數(shù)資料
型號： 2N7002BKV
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述： 340 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 2/16頁
文件大?。?/td> 351K
代理商： 2N7002BKV
2N7002BKV
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Product data sheet
Rev. 2 — 22 September 2010
2 of 16
NXP Semiconductors
2N7002BKV
60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
2. Pinning information
Table 2.
Pin
1
2
3
4
5
6
3. Ordering information
Table 3.
Type number
4. Marking
Table 4.
Type number
2N7002BKV
5. Limiting values
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Per transistor
V
DS
drain-source voltage
V
GS
gate-source voltage
I
D
drain current
Pinning
Symbol
S1
G1
D2
S2
G2
D1
Description
source 1
gate 1
drain 2
source 2
gate 2
drain 1
Simplified outline
Graphic symbol
1
2
3
4
5
6
017aaa055
6
5
4
1
2
3
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface-mounted package; 6 leads
Version
SOT666
2N7002BKV
Marking codes
Marking code
ZG
Limiting values
Conditions
Min
Max
Unit
T
amb
= 25
°
C
T
amb
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
T
amb
= 25
°
C
T
amb
= 100
°
C
T
amb
= 25
°
C;
single pulse; t
p
≤
10
μ
s
-
-
60
±
20
V
V
[1]
-
-
-
340
240
1.2
mA
mA
A
I
DM
peak drain current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002E 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT1G Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT3 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT3G Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002BKV,115 功能描述:MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:370mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1
2N7002BKW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.31A SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:310mA, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V, Power , RoHS Compliant: Yes
2N7002BKW,115 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002BKW115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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