參數(shù)資料
型號： 2N7002
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.115A的N溝道增強型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流0.115A的N溝道增強型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： 2N7002
2N7000/7002, VQ1000J/P, BS170
Siliconix
S-52429—Rev. E, 28-Apr-97
1
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
Product Summary
Part Number
V
(BR)DSS
Min (V)
r
DS(on)
Max ( )
V
GS(th)
(V)
I
D
(A)
2N7000
5 @ V
GS
= 10 V
0.8 to 3
0.2
2N7002
7.5 @ V
GS
= 10 V
1 to 2.5
0.115
VQ1000J
60
5.5 @ V
GS
= 10 V
0.8 to 2.5
0.225
VQ1000P
5.5 @ V
GS
= 10 V
0.8 to 2.5
0.225
BS170
5 @ V
GS
= 10 V
0.8 to 3
0.5
Features
Benefits
Applications
Low On-Resistance: 2.5
Low Threshold: 2.1 V
Low Input Capacitance: 22 pF
Fast Switching Speed: 7 ns
Low Input and Output Leakage
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage
Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories, Transistors, etc.
Battery Operated Systems
Solid-State Relays
2N7002 (72)*
*Marking Code for TO-236
TO-226AA
(TO-92)
Top View
2N7000
S
D
G
1
2
3
G
TO-236
(SOT-23)
S
D
Top View
2
3
1
Plastic: VQ1000J
Sidebraze: VQ1000P
Top View
TO-92-18RM
(TO-18 Lead Form)
D
S
G
1
2
3
BS170
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
Top View
Dual-In-Line
D
1
D
4
S
1
S
4
G
1
G
4
NC
NC
G
2
G
3
S
2
S
3
D
2
D
3
N
N
N
N
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002DW-7-F DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002E-7-F N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K N-Ch; 60V (DS) MOSFET; add ESD protect function
2N7002M MOSFET( N-Channel )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
2N7002 215 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
2N7002 BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500
2N7002 H6327 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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