參數(shù)資料
型號(hào): 2N7000G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET TO-92 Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V
功率 - 最大: 350mW
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-92-3
包裝: 散裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 2N7000G-ND
2N7000GOS