參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000CSM
英文描述： N-Channel Enhanced Mode MOS Transistor（Vdss：60V，Id：200mA，Rds(on)：5Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管（Vdss：60V，Id：200mA，Rds(on)：5Ω）)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管（減振鋼板基本：60V的，身份證：200毫安時(shí)，RDS（上）：5Ω）（不適用溝道增強(qiáng)型馬鞍山晶體管（減振鋼板基本：60V的，身份證：200毫安時(shí)，RDS（上）：5Ω））
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 18K
代理商： 2N7000CSM
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Min.
Typ.
Max.
416
Unit
°
C/W
R
q
JA
V
(BR)DSS
Gate
–
Source Breakdown Voltage
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
GSS
Gate
–
Body Leakage Current
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
I
D(on)*
On
–
State Drain Current
R
DS(on)*
Drain
–
Source On Resistance
V
DS(on)*
Drain
–
Source On Voltage
g
FS*
Forward Transconductance
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
ON
Turn
–
On Time
t
OFF
Turn
–
Off Time
Prelim. 8/00
2N7000CSM
Magnatec.
Telephone +44(0)1455 554711.
E-mail:
magnatec@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.uk
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7001 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 45MA I(D) | SOT-23
2N7002-MR MOSFET 2N7002 MINIREEL 500PCS
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參數(shù)描述
2N7000CSM_06 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000G 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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