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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6716 |
| 廠商： | Boca Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2N6716 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta =25oC unless otherwise specified)
Collector Cutoff Current
V
CB
=40V, I
E
=0
2N6714
V
CB
=50V, I
E
=0
2N6715
V
CB
=40V, I
E
=0
2N6716
D.C. Current Gain
I
C
=10mA, V
CE
=1V
2N6714/6715
I
C
=100mA, V
CE
=1V
2N6714/6715
I
C
=1A, V
CE
=1V
2N6714/6715
Description
Symbol
Min.
Max.
Unit
I
CBO
-
-
-
100
100
100
nA
nA
nA
h
FE
55
60
50
-
-
250
I
C
=50mA, V
CE
=1V
I
C
=250mA, V
CE
=1V
I
C
=500mA, V
CE
=1V
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
=1A, I
B
=100mA
I
C
=250mA, I
B
=25mA
Base Emitter on Voltage
I
C
=1A, V
CE
=1V
2N6716
2N6716
2N6716
80
50
20
-
250
-
2N6714/6715
2N6716
V
CE(sat)
-
-
0.5
0.35
V
V
2N6714/6715
V
BE(on)
-
1.2
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
V
CB
=10V, I
E
=0,
f=1MHz
Current-Gain-Bandwidth Product
I
C
=50mA, V
CE
=1V
ALL
C
ob
-
20
pF
2N6714/6716
2N6715
f
T
50
50
500
400
MHz
MHz
2N6714
2N6715
2N6716
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6716 | Power Transistors |
| 2N6714 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
| 2N6714 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 2N6715 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 2N6716 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6716STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6716STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6716STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6717 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6717STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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